В сентябре 2020 года Apple представила три свежих смартфона: iPhone 11, iPhone 11 Pro и iPhone 11 Pro Max. Их главной фишкой, конечно же, оказались камеры, общие принципы работы которых мы обсуждали в отдельном материале. Тем не менее, отдельного внимания также заслужил и процессор новинок. Их «сердцем» стал Apple A13 Bionic, который создан по 7-нанометровому технологическому процессу. Производитель гордится этой цифрой, ведь до неё добрались далеко не все конкуренты. А вот у Xiaomi Redmi 8 Pro чип MediaTek Helio G90T. У него все 12 нм, и кичиться здесь точно нечем…
Лучший Telegram-канал про технологии (возможно)
Вообще, в мире высоких технологий нет ничего быстрее, чем самые проворные микросхемы — процессоры. Они умеют обрабатывать миллиарды операций в секунду, а на их производство уходит настолько много невероятных технологий, что даже становится жутко. Микропроцессоры пошли в массовое производство в 90-х годах прошлого столетия. С того времени они пережили несколько ступеней развития, апогеем которого стало начало 21 века. Именно тогда производителям открылись все основные свойства кремния, и это дало возможность получать максимальную эффективность при минимальных затратах.
Сегодня темпы развития процессоров стремительно падают. Кремниевые технологии быстро приближаются к пределу своих физических возможностей. Да, их частоты всё ещё увеличиваются, но эффективность работы находится в стагнации. Про это в разрезе смартфонов и не только мы расскажем в данной статье.
Что собой в принципе представляет каждый микропроцессор
Каждый микропроцессор представляет собой специальную интегральную схему, которая расположена на микроскопическом кристалле кремния. Этот материал используется только из-за того, что обладает свойствами полупроводников: он проводит электроэнергию быстрее диэлектриков и медленнее металлов. Его можно сделать и изолятором, который останавливает движение зарядов, и проводником, который зажигает для них зелёный свет. Этим параметром получится управлять с помощью специальных примесей.
Внутри микропроцессора нашлось место для миллионов транзисторов, которые объединены невероятно тонкими проводниками. Для их производства используют алюминий, медь и другие материалы — они предназначены для того, чтобы переваривать информацию. Из них складываются внутренние шины, которые дают процессору возможность работать с математическими и логическими операциями, а также управлять остальными микросхемами устройства в общем и целом.
Одним из самых важных параметров качества микропроцессора всегда была частота работы его кристалла. Именно она определяет число действий, которые могут выполняться за отведённое время — это зависит от того, насколько быстро транзисторы могут переходить из закрытого состояния в открытое. На это далеко не в последнюю очередь влияет технология производства кремниевых пластин — основного компонента процессоров. Чем они меньше, тем разогнать их частоту обычно можно до больших значений.
Технологический процесс, который используется при производстве микропроцессоров, влияет на их размер. Если обрезать количество нанометров, о котором сегодня все говорят, можно уменьшить габариты самого чипа. Это сделает его не только более быстрым — он будет выделять меньше тепла и расходовать меньше энергии. Данные показатели всегда были очень важны в полноценных компьютерах, но теперь выходят чуть ли не на первое место и в современных смартфонах.
Что такое «7 нм техпроцесс»?
Если говорить очень упрощённо, то процессор — это миллиарды крошечных транзисторов и электрических затворов, которые включаются и выключаются при выполнении операций. «7 нм» — это размер этих транзисторов в нанометрах. Для понимания масштабов стоит напомнить, что в одном миллиметре миллион нанометров, а человеческий волос толщиной 80000 — 110000 нанометров. Транзистором, напомню, называют радиоэлектронный компонент из полупроводника (материал, у которого удельная проводимость меняется от воздействия температуры, различных излучений и прочего), который от небольшого входного сигнала управляет значительным током в выходной цепи. Он используется для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Сейчас транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных компонентов и интегральных микросхем. Размер транзистора полезно знать специалистам для оценки производительности конкретного процессора, ведь чем меньше транзистор, тем меньше требуется энергии для его работы.
Процессор A7, стоявший в iPhone 5S, производился по 28-нанометровому техпроцессу
При производстве полупроводниковых интегральных микросхем применяется фотолитография (нанесение материала на поверхности микросхемы при участии света) и литография (нанесение материала с помощью потока электронов, излучаемого катодом вакуумной трубки). Разрешающая способность в микрометрах и нанометрах оборудования для изготовления интегральных микросхем (так называемые «проектные нормы») и определяет размер транзистора, а с ним и название применяемого конкретного технологического процесса.
Читайте далее: В iPhone 11 появится новый сопроцессор для фото- и видеосъёмки
Какие этапы проходят процессоры во время производства
Даже если верить «Википедии», производство процессоров можно разделить на полтора десятка этапов. Мы решили вкратце расписать каждый из них именно для того, чтобы стало понятно, насколько сложный это процесс. В реальности же он ещё более замысловатый, уж поверьте.
1. Механическая обработка. На этом этапе производитель готовит пластины проводника с определённой геометрией и кристаллографической ориентацией, которая не может отличаться от эталона более чем на 5%. Отдельного внимания также заслуживает класс чистоты поверхности.
2. Химическая обработка. В рамках этого этапа с поверхности удаляются все мельчайшие неровности, которые были созданы во время механической обработки. Для этого, а также для получения необходимых нюансов формы используют плазмохимические методы, а также жидкостное и газовое травление.
3. Эпитаксиальное наращивание. В данном случае проходит добавление слоя полупроводника — осаждение его атомов на подложку. Именно на этом этапе образуется кристаллическая структура, аналогичная структуре подложки, которая часто выполняет роль только лишь механического носителя.
4. Получение маскировки. Чтобы защитить слой полупроводника от последующего проникновения примесей, на этом этапе на него добавляется специальное защитное покрытие. Это происходит путём окисления эпитаксиального слоя кремния, которое становится возможным за счёт высокой температуры или кислорода.
5. Фотолитография. На этом этапе на диэлектрической плёнке создаётся необходимый рельеф. Если до данного этапа в этом пункте статьи вы мало что вообще поняли, то наша задача выполнена — вы осознали, насколько сложно создать процессор, и можете двигаться к следующему пункту.
6. Введение примесей. Здесь речь, конечно же, про электрически активные примеси, которые нужны для образования изолирующих участков, а также электрических переходов, источниками которых могут быть твёрдые, жидкие и газообразные вещества. Для этого используется метод диффузии.
7. Получение омических контактов. Кроме этого, на данном этапе также создают пассивные элементы на пластине. Для этого используется фотолитографическая обработка на поверхности оксида, который покрывает области успешно сформированных структур.
8. Добавление слоёв металла. На этом этапе будущий процессор получает несколько дополнительных слоёв металла, общее количество которых может лихо отличаться и зависит от его уровня. Между ним нужно расположить диэлектрик, в котором есть сквозные отверстия.
9. Пассивация поверхности. Чтобы правильно протестировать кристалл, нужно максимально сильно очистить его от любых возможных загрязнений. Чаще всего это происходит в деионизированной воде на установках гидромеханической или кистьевой отмывки.
10. Тестирование пластины. Для этого обычно используются зондовые головки, которые установлены на специальных установках, используемых для разбраковки пластин. Кстати, до этого самого момента они находятся в неразрезанном на отдельные части состоянии.
11. Разделение пластины. На этом этапе пластину механически разделяют на отдельные кристаллы. Сейчас это делают не только из-за удобства, но и по причине поддержания электронной гигиены. В её рамках в воздухе должно быть критически малое количество пыли, а в процессе разрезания она появится.
12. Сборка кристалла. На этом этапе готовый кристалл упаковывают в специальный корпус, который в дальнейшем герметизируют. Здесь к нему также подключают все необходимые выводы, которые нужны для его дальнейшего использования — это практически готовый чип.
13. Измерения и испытания. На данном этапе происходит проверка чипа на соответствие заданным техническим параметрам. Да, даже в настолько точном и высокотехнологическом производстве случается брак, который возрастает при увеличении сложности задачи. Отсюда и немаленькая цена.
14. Контроль и маркировка. Это пара финальных этапов в производстве чипов. В данном случае их снова проверяют, потом наносят на них специальное защитное покрытие, а также упаковывают, чтобы доставить готовое изделие конкретному заказчику.
Особенности архитектуры. Производительность
Новые процессоры AMD Ryzen 2 Mobile 3, 5 и 7 выполнены на базе процессорной микроархитектуры Zen+ в связке с графическими ядрами Vega, и представляют собой обновление линейки AMD Ryzen Mobile, представленного в сентябре 2020 г.
AMD
Помимо нового техпроцесса, повышенных тактовых частот, производительности и энергосбережения, дизайн новых чипов в целом сохранил прежние наработки архитектуры Zen. Так, новые чипы AMD Ryzen 2 Mobile оснащены аппаратными декодерами видео 4K с кодеками H.265 и VP9, технологиями FreeSync и ShartShift, а также встроенной поддержкой криптозащиты и интегрированным сопроцессором безопасности.
Функции новых AMD Ryzen 2 Mobile
В наличии также интегрированная поддержка до двух дисплеев 4K и до четырех дисплеев 1080p, интерфейсы HDMI 2.0 и DisplayPort.
Переход на техпроцесс 12 нм обеспечил мобильным процессорам AMD Ryzen Pro 3000 рост производительности по сравнению с предшественниками, в том числе, до 14% при создании мультимедийного контента и работе с повседневными офисными заданиями.
Сравнение производительности разных поколений чипов AMD
Согласно внутренним итогам тестирования AMD, новый флагманский процессор Ryzen 7 Pro 3700U обеспечивает значительный прирост производительности по сравнению с чипом AMD Pro A12-9800B, особенно в тестовых пакетах PC Mark 10 (60%), 3D Mark 11 (128%) и Cinebench NT (187%).
Сравнение производительности чипов AMD и Intel
По традиции, в своих презентациях AMD не стесняется противопоставлять свои новинки чипам главного конкурента. В этот раз новый флагманский чип Ryzen 7 Pro 3700U конкурирует с Intel Core i7-8650U и Core i7-7600U. В офисном пакете PC Mark 10 чипы идут на равных, однако уже в мультимедийном многопоточном процессорном тесте Cinebench новый Ryzen 7 Pro 3700U вырывается вперед, а в графическом тесте 3D Mark 11 уходит вперед с большим отрывом – что неудивительно с учетом встроенных десяти ядер Radeon Vega.
Хронология уменьшения размера технологического процесса
’70-е:
- 3 мкм — такого технологического процесса компания Zilog достигла в 1975 году, Intel — в 1979-м.
’80-е:
- 1,5 мкм — Intel уменьшила технологический процесс до этого уровня в 1982 году;
- 0,8 мкм — уровень Intel в конце 1980-х.
’90-е:
- 0,6–0,5 мкм — компании Intel и IBM находились на этом уровне в 1994–1995 годах;
- 350 нм — Intel, IBM, TSMC к 1997-му;
- 250 нм — Intel, 1998 год;
- 180 нм — Intel и AMD, 1999 год.
’00-е:
- 130 нм — этого уровня компании Intel, AMD достигли в 2001–2002 годах;
- 90 нм — Intel в 2002–2003 годах;
- 65 нм — Intel в 2004–2006 годах;
- 45–40 нм — Intel в 2006–2007 годах;
- 32–28 нм — Intel в 2009–2010 годах;
- 22–20 нм — Intel в 2009–2012 годах;
’10-е:
- 14–16 нм — Intel наладила производство таких процессоров к 2015 году;
- 10 нм — TSMC делала такие процессоры уже в 2016-м, а Samsung — в 2020 году;
- 7 нм — TSMC, 2020 год;
- 6 нм — TSMC только анонсировала такой технологический процесс в 2019 году;
- 5 нм — TSMC начала тестирование такого техпроцесса в 2019 году;
- 3 нм — Samsung обещает делать процессоры с таким технологическим процессом к 2021 году.
Конкуренция с TSMC
Примечательно, что конкурирующий тайваньский производитель TSMC опережает Samsung в 7 нм гонке — он уже готов работать по этой технологии. Однако Samsung уверяет, что впервые используемая ею техника ультрафиолетовой литографии (EUV) обеспечит ее чипам преимущество в цене и в качестве.
Чтобы получить дополнительное преимущество в конкуренции с TSMC, Samsung в мае провела реорганизацию подразделения System LSI, которое занимается разработкой и производством микросхем. Разработка и производство были выделены в независимые друг от друга структуры.
Чем меньше нанометров в технологическом процессе, тем:
Выше скорость работы. В сегменте мобильных процессоров самым быстрым сегодня считается Apple A13 Bionic, который выполнен по 7-нанометровому технологическому процессу — это максимально крутое значение, которое доступно на сегодняшний день в коммерческом секторе. За уменьшением техпроцесса зачастую следует именно увеличение производительности. Она сегодня жизненно нужна для использования нейронных сетей, для дополненной реальности, работы с графикой в любом месте и в удобное время. Да что там говорить, с выходом Apple Arcade мы ждём бум мобильных игр, и для них процессор также важен.
Ниже выделение тепла. Сегодня мы акцентируем внимание именно на мобильных устройствах. Есть мнение, что в смартфонах разговоры о температуре процессоров не так актуальны, но это большая ошибка. При большой нагрузке процессоры нагреваются. Если температура становится критичной, они снижают скорость своей работы — это называется троттлингом. Чтобы избежать этого, нужно делать корпус толще, думать про дополнительный отвод тепла и так далее. При использовании более совершенного технологического процесса число подобных заморочек заметно снижается.
Меньше потребление энергии. В конце концов, уменьшение технологического процесса очень важно для увеличения времени автономной работы. Именно поэтому при оценке ёмкости аккумулятора недорого смартфона на Android не нужно сравнивать её с соответствующим показателем в iPhone и других флагманах. Даже с куда большим объёмом аккумулятора устройство может работать не так долго, как того хотелось бы. Тот же Xiaomi Redmi 8 Pro с процессором, который выполнен по устаревшему технологическому процессу (12 нм), не радует автономностью даже с достаточно большой батарейкой.
В заключение повторюсь — при выборе нового смартфона нужно не в последнюю очередь смотреть на технологический процесс чипсета. Прогресс преодолел планку в 12 нм ещё в 2020 году, поэтому в 2019-м эта цифра выглядит даже как-то смешно.
Мобильные чипы увидят самые большие улучшения
Однако сокращение узла — это не только вопрос производительности; это также имеет огромное значение для микросхем маломощных мобильных устройств и ноутбуков. С 7-нм (по сравнению с 14-нм) вы можете получить на 25% больше производительности при той же мощности или вы можете получить такую же производительность при вдвое меньшей мощности. Это означает более длительное время автономной работы при той же производительности и гораздо более мощные микросхемы для небольших устройств, поскольку вы можете эффективно уместить вдвое большую производительность в ограниченную целевую мощность. Мы уже видели, как чип A12X от Apple раздавил некоторые старые чипы Intel в тестах, несмотря на то, что он был только пассивно охлаждён и упакован внутри смартфона, и это всего лишь первый 7-нм чип, появившийся на рынке.
Уменьшение размера узла — всегда хорошая новость, поскольку более быстрые и энергоэффективные чипы влияют практически на все аспекты мира технологий. Настоящее время является захватывающим для технологий с этими новейшими узлами, и приятно видеть, что закон Мура ещё не мёртв.
Переход на нанолисты
В конечном счёте finFET перестанут масштабироваться, и производителям чипов придётся перейти на новые транзисторы, а именно на нанолистовые FET.
Нанолистовые FET начали набирать обороты в 2017-м, когда Samsung представила Multi Bridge Channel FET (MBCFET) на 3 нм. MBCFET – это нанолистовые FET. Пробные образцы начнут производить уже в этом году, а промышленный выпуск начнётся в 2022-м.
TSMC тоже работает с нанолистовыми FET, представляющими собой один из типов GAA-транзисторов. Нанолистовые FET обеспечивают небольшое преимущество для масштабирования finFET на 5 нм, но у них есть несколько преимуществ.
Нанолистовой FET – это, по сути, finFET, положенный набок, и обёрнутый затворами. Нанолист состоит из нескольких отдельных тонких горизонтальных листов, положенных друг на друга. Каждый лист – это отдельный канал.
Вокруг каждого листа находится затвор, и в результате получается кольцевой транзистор. Теоретически, нанолистовые FET дают большее быстродействие при меньших утечках, поскольку управление током осуществляется с четырёх сторон структуры.
Изначально в нанолистовых FET будет примерно по четыре листа. «Ширина типичного нанолиста составляет от 12 до 16 нм, а толщина – 5 нм», — сказал Хоригучи.
Этим нанолист отличается от finFET. Количество плавников у finFET ограничено, что стесняет работу дизайнеров. «Преимущество нанолиста в том, что у него можно менять ширину. Ширину можно подбирать по запросам дизайнера. Это даёт им некоторую свободу. Они могут обнаружить лучший вариант по соотношению энергопотребления и скорости», — сказал Хоригучи.
К примеру, у транзистора с более широким листом будет больше и ток возбуждения. Узкий лист позволяет сделать устройство меньше размером с меньшим током возбуждения.
Нанолисты связаны с технологией нанопроводов, в которой каналами служат провода. Ограничение ширины канала приводит к ограничению тока возбуждения.
Поэтому нанолистовые FET и набирают обороты. Однако у этой технологии и у finFET на 3 нм есть несколько проблем. «Проблемы finFET связаны с квантовым управлением ширины плавника и профиля плавника. Проблемы нанолистов связаны с дисбалансом p/n, эффективностью нижнего листа, прослоек между листами, управлением длиной вентиля», — сказал Джин Кай, заместитель директора TSMC, во время презентации на IEDM.
Учитывая все эти сложности, на ввод технологии нанолистовых FET уйдёт какое-то время. «У перехода на новые архитектуры транзисторов есть много препятствий, — сказал Герреро. – Определённо для этого потребуются новые материалы».
В простейшем варианте процесса изготовление нанолистового FET начинается с формирования сверхрешётки на подложке. Эпитаксиальный инструмент располагает на подложке перемежающиеся слои кремний-германиевого сплава (SiGe) и кремния. Стопка будет состоять как минимум из трёх слоёв SiGe и трёх слоёв кремния.
Затем в сверхрешётке при помощи структурирования и травления формируются вертикальные плавники, для чего требуется очень точное управление процессом.
Потом начинается один из самых сложных этапов – формирование внутренних прокладок. Во-первых, внешние части слоёв SiGe утапливаются в сверхрешётке заподлицо. Это создаёт небольшие углубления, заполняемые диэлектриком. «Внутренние прокладки нужны для уменьшения ёмкости вентиля, — сказал Кай. – Их изготовление – важнейшая часть процесса».
И такие технологии уже есть — IBM и TEL недавно описали новую технику травления, подходящую как для внутренних прокладок, так и для выпуска каналов. Для этого используется изотропное сухое травление SiGe с соотношением 150:1.
Такая технология позволяет получать очень точные внутренние прокладки. «Изготовление выемок в SiGe требует очень выборочного бокового „слепого“ травления слоёв», — сказал Николас Лубе, менеджер по R&D в IBM.
Затем формируются исток и сток. После этого слои SiGe удаляются из сверхрешётки при помощи травления. Остаются кремниевые слои, или листы, составляющие каналы.
В структуру помещаются High-k-материалы, и наконец, формируются соединения MOL, что и даёт нанолист.
Это упрощённое описание этого сложного процесса. Тем не менее, как и любые новые технологии, нанолисты могут быть подвержены появлению дефектов. Требуется дополнительное изучение и измерение всех шагов.
«Как и с предыдущими переходами между технологиями, мы видим проблемы, связанные с изучением и измерением нанолистов», — сказал Чет Ленокс, директор по решениям управлением процессами в KLA. «Может появиться много дефектных режимов как во внутренних прокладках, так и в нанолистах. Производителям ИС необходимы точные размеры отдельных нанолистов, а не просто средняя величина каждой стопки, чтобы уменьшить изменчивость своих производственных процессов».
Для этого тоже требуются новые технологии. К примеру, Imec и Applied Materials недавно представили работу по технологии «scalpel scanning spreading resistance microscopy» (s-SSRM) для создания кольцевых затворов. В технологии s-SSRM крохотный скальпель откалывает небольшую часть структуры, и в этот разрез можно добавлять легирующие примеси.